8AV国产精品爽爽Va在线观看_国产精品视频免费播放_综合精品综合一区二区_蜜臀福利视频免费观看

當前位置技術(shù)知識 >> 道路照明用高效LED的可靠性研究

道路照明用高效LED的可靠性研究

錢可元,劉洪濤
清華大學(xué)深圳研究生院 半導(dǎo)體照明實驗室,深圳 5180558,


摘要:LED道路照明燈具是LED照明產(chǎn)品中請求最嚴格的產(chǎn)品之一,系統(tǒng)的可靠性是影響LED道路照明燈具利用的一個重要方面,而LED光源的可靠性則是制約燈具壽命的關(guān)鍵因素。通過對LED光源的熱阻分析及失效機理 分析,摸索評判LED光源器件可靠性得方法,找出制約實際LED產(chǎn)品壽命的關(guān)鍵點為設(shè)計高效高可靠LED道路照明系統(tǒng)供給參考。
關(guān)鍵詞:功率型發(fā)光二極管,可靠性,性能退化
1. 引言
  近年來,在戶外照明范疇,新型LED路燈正引起眾多產(chǎn)業(yè)界和投資者的關(guān)注,全國有數(shù)百家企業(yè)推出了各自的LED路燈產(chǎn)品,幾乎各個城市都有或多或少的LED路燈已經(jīng)安裝到城市的干道上。然而在眾多的產(chǎn)品序列中,良莠不齊,一些產(chǎn)品仍欠完善,其中標題最大的是LED路燈的整體可靠性。LED道路照明系統(tǒng)不同于傳統(tǒng)照明燈具,相對要復(fù)雜得多,影響整體可靠性的因素也多。參見圖(1)。



  在研究其系統(tǒng)可靠性時必需考慮其固有的特點。
1. 光源模塊本身的技巧指標受多種因素的制約
2. 光源模塊的參數(shù)離散性很大
3. 器件可靠性對散熱的依附性極大
4. LED的驅(qū)動電源設(shè)計壽命遠落伍于LED光源
  在眾多因素中,LED發(fā)光器件本身的性能指標無疑是決定燈具光效、壽命等性能的最重要部件,也是目前最受人關(guān)注的研究方面。
  為了改良性能和提高可靠性,我們對影響LED發(fā)光器件可靠性的重要因素進行分析研究,初步探討了LED光源的失效機理。
2. LED芯片的固晶熱阻分析
  固晶熱阻是芯片與基座間的固晶層引進的熱阻,對芯片的散熱后果有很大影響,是總的封裝熱阻的重要組成部分,目前對不同材料的固晶熱阻的分析一直停留在數(shù)值仿真階段[11] [12]?,F(xiàn)有的熱阻測試設(shè)備并無法區(qū)分各部分引進的熱阻,而實際工藝中往往需要對固晶熱阻進行評價,為此,我們從前向電壓法出發(fā)研制的動態(tài)結(jié)溫測試方法,能有效地分析固晶層熱阻的新方法。
  目前碰到的很多類固晶材料,這些材料的熱導(dǎo)率從0.2~60 W/K·m不等,應(yīng)用不同材料封裝時引進的固晶熱阻不同,為了研究固晶熱阻隨熱導(dǎo)率的變更關(guān)系,我們對一個簡略模型內(nèi)的固晶熱阻做了數(shù)值仿真分析,疏忽芯片自身的溫度梯度,結(jié)構(gòu)為1x1x0.1mm的1W LED芯片固晶于30x30x5mm的鋁基板上,環(huán)境溫度為20℃,固晶層厚25μm。固晶材料熱導(dǎo)率為18W/K.m時,通過專業(yè)熱仿真軟件仿真得到芯片及基板局部溫度散布如圖2所示,芯片溫度為54.06℃,基板溫度為52.77℃,此時固晶熱阻為1.29 K/W。設(shè)置固晶層材料熱導(dǎo)率從2~60 W/K.m 變更,仿真得到固晶熱阻如圖3中曲線變更。


圖 2 熱仿真溫度散布圖



圖(3) 固晶熱阻隨固晶材料熱導(dǎo)率的變更(固晶層厚25微米)

  可以看到固晶熱阻與固晶材料的導(dǎo)熱率有關(guān),固晶層厚度為25微米時,固晶材料的熱導(dǎo)率增大時固晶熱阻不斷減小,在材料熱導(dǎo)率達到22 以上時,熱阻小于1 ,之后熱阻隨材料熱導(dǎo)率的增加變更不如前期明顯。

  然而在實際的封裝參數(shù)測試中,會發(fā)明期間的封裝熱阻比理論盤算值要大很多,這其中的原因一是固晶材料的導(dǎo)熱率實際值與廠家給出的額定值有偏差,例如用銀膠固晶,此偏差與銀膠材料的保留、涂覆、固化工藝有關(guān)。另一原因是固晶厚度的把持遠非幻想情況。一般來講,固晶熱阻與固晶層厚度成正比關(guān)系,因此基座材料的表面平整度,膠體固化后內(nèi)部的微氣泡、雜質(zhì),厚度的偏離多會造成固晶熱阻的上升。

  為考核實際固晶層的質(zhì)量,對一批雷同工藝、雷同材料封裝、不同熱阻參數(shù)的LED器件解剖分析。圖5和圖6是其剖面圖,銀膠的導(dǎo)熱率約為12 。由圖可見固晶層的實際厚度在同一批次的產(chǎn)品中都會有不同的數(shù)值,且差距不小。

圖(4) 固晶層剖面圖(固晶層厚15微米


圖(5) 固晶層剖面圖(固晶層厚60微米)


  圖(4)所示的固晶層熱阻小于1.25K/W,而圖(5)所示的固晶層熱阻達到5K/W以上,這還只是理論的盤算,實測其熱阻值會更大。這類LED器件在路燈中應(yīng)用無疑將對整燈系統(tǒng)的壽命產(chǎn)生不利影響。
  由此可見,在選擇固晶材料時需要綜合考慮熱導(dǎo)率及固晶層可以達到的最小厚度,而封裝工藝則需考慮如何保證固晶層盡可能地薄,并且能保持一致。
  因此目前一些固晶材料(如Sn80Au20)不僅熱導(dǎo)率很高,由于應(yīng)用共晶焊工藝,固晶層厚度也比傳統(tǒng)的銀膠薄,散熱后果要好于傳統(tǒng)銀膠固晶。

3. LED的可靠性分析
  發(fā)光二極管的失效表現(xiàn)為突變失效和緩變失效,突變失效重要由靜電擊穿、金線斷裂、固晶材料老化等引起,緩變失效的原因比擬復(fù)雜,包含熒光粉及芯片的物理失效。
  在功率型發(fā)光二極管利用中,影響壽命的兩個重要應(yīng)力是溫度和電流,因此本實驗中利用溫度和電流兩個應(yīng)力分辨對器件進行加速老化,分析壽命分辨和溫度、電流的關(guān)系。
只考慮溫度時可以應(yīng)用Arrhenius模型 。


  加速老化實驗可以選擇溫度或電流加速老化,溫度加速老化時,選擇兩個以上不同溫度T1,T2進行老化實驗,得到兩個不同溫度下的壽命,根據(jù)Arrhenius模型中壽命與溫度的關(guān)系可以擬合得到反應(yīng)的激活能Ea及系數(shù)A,由此可以推斷出其他溫度下的壽命;電流加速老化時同樣在雷同溫度下選擇兩個以上不同的電流I1,I2進行實驗,擬合得到系數(shù)B及指數(shù),其他電流下的壽命也可由表達式推出。
  我們對2批不同的大功率LED進行了加速老化測試,在不同應(yīng)力條件下,光通量的衰減速率不同的,根據(jù)反應(yīng)速度論模型的分析,光通量將以指數(shù)情勢衰減,衰減速率為反應(yīng)速率為R(T,S1,S2,…),以σ定義的壽命 ,定義光通量衰減至70%的時間為發(fā)光二極管的壽命,根據(jù)擬合的衰減曲線可以推斷出不同溫度下發(fā)光二極管的壽命
表格 1 不同應(yīng)力條件下LED的壽命


對不同結(jié)溫下的壽命數(shù)據(jù)進行指數(shù)擬合,可以得到壽命隨溫度的變更曲線: ,可以得出這類發(fā)光二極管的性能退化的激活能Ea為1239K,并且可以猜測其他溫度下發(fā)光二極管的壽命,如T=30℃時壽命小時。
4. 結(jié)論
  芯片的固晶技巧是LED封裝的一個重要方面,固晶質(zhì)量對散熱性能有很大的影響,不同的固晶材料由于熱導(dǎo)率不同,而采用合適的工藝,保證固晶層的厚度也顯得尤為重要,同時準確地對封裝熱阻的測試技巧也是提高大功率LED封裝質(zhì)量不可或缺的手段。
  對通過必定外加應(yīng)力情況下老化,得到了不同應(yīng)力下功率型發(fā)光二極管的壽命,利用反應(yīng)速率模型推斷出發(fā)光二極管的壽命隨溫度或電流的變更,對于猜測不同種類和質(zhì)量的LED的壽命是一個較為可靠的參考。

REFERENCES
[1] N. Narendran and L. Deng et al., Performance c h a racteristics of high-power light-emitting diodes. 3rd International Conference on Solid-State-Lighting, 2004,267-275.
[2] E.Fred Schubert, Light-Emitting Diodes, second edition, Cambridge university press,2006:191
[3] 費翔,錢可元,羅毅等,大功率LED結(jié)溫丈量及發(fā)光特征研究,光電子•激光 2008年03期
[4] Mehmet Arik, Stanton Weaver, Chip scale thermal management of high brightness packages, Proc. of SPIE Vol.5530,214(2004)
[5] 錢可元,鄭代順,羅毅等,GaN基功率型LED芯片散熱性能測試與分析 半導(dǎo)體光電 2006年6月第27卷第3期
[6] C.P. Wong et al, Recent advances on polymer nanocomposites for advanced electronic packaging applications, Conference on high density microsystem design and packaging and component failure analysis(2005)
[7] N. Narendran, Y.Gu, Life of LED-Based White Light Sources, Journal of Display Technology, VOL.1, NO.1 (2005) 167-171
[8] M.Pavesi, M.Manfredi, Optical evidence of an electrothermal degradation of InGaN-Based light emitting diodes during electrical stress, Applied Physics Letters,VOL.84, NO.17(2004) 3403-3405
[9] Barton D.L.,Osinski M.,Degradation mechanisms in GaN/AlaN/InGaN LEDs and LDs,Semiconductor and insulting materials(1998)
[10] 姚立真,可靠性物理,電子產(chǎn)業(yè)出版社(2004)
[11] M. Ott. Capabilities and reliability of led’s and laser diodes. Swales Aerospace: Technology
Validation Assurance Group, 1997